国家知识产权局信息显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件的制造方法”的专利，公开号CN122138681A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件的制造方法，在进行有源区制造工序之前，先对待制作高压晶体管的衬底区域进行沟槽刻蚀，以至少形成间隔开的栅氧槽和第一深度调节槽，可利用第一深度调节槽的深度来增加高压晶体管的浅沟槽隔离结构的底部深度，增大高压晶体管的击穿电压，并利用栅氧槽及对栅氧槽中的有源区顶部刻蚀来降低有源区顶部高度，减小形成厚栅氧化层后高压晶体管与其它元件之间的阶梯高度；而且在形成边沟之后，采用第一离子对有源区顶角进行预注入，在对栅氧槽中的有源区进一步刻蚀时能形成有源区凸角，进而利用有源区凸角处的氧化来解决高压晶体管的栅氧化层在有源区顶角处薄的问题，提高了本发明的半导体器件中的高压晶体管的耐压能力。
天眼查资料显示，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司，成立于2020年，位于青岛市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析，青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业，专利信息142条，此外企业还拥有行政许可4个。
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